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英特爾美光聯(lián)手推出25納米NAND存儲技術

2010-02-04            12049

    本報訊   (關 文)英特爾和美光科技日前宣布推出世界上首個25納米NAND存儲技術,該技術能有效地增加智能手機等消費電子產品以及固態(tài)硬盤(SSD)的存儲容量,并降低產品尺寸。

    NAND閃存可用于存儲電子產品中的數(shù)據(jù)和其它媒體內容,即使在電源關閉時也能保留信息。25納米NAND制程不僅是當前尺寸最小的NAND技術,也是全球最精密的半導體技術。單個25納米制程NAND設備的存儲容量達到8GB,為當前小巧的消費電子產品提供大容量存儲解決方案。其尺寸僅有167平方毫米,卻能存儲比光盤多10倍的數(shù)據(jù)。

    該技術由英特爾和美光共同組建的NAND閃存合資企業(yè)IM Flash Technologies(簡稱IMFT)生產,通過對NAND研發(fā)的專注和投資,英特爾和美光大約每18個月將NAND的密度提升一倍,從而帶來尺寸更小、成本效益更高、容量更大的產品。

    英特爾公司副總裁兼NAND解決方案事業(yè)部總經理Tom Rampone表示:“通過持續(xù)投資于IMFT,我們不斷推出領先的技術和制造工藝,開發(fā)出成本效益最高、最可靠的NAND存儲產品,這將加快固態(tài)硬盤解決方案在計算設備中的廣泛應用。”

    采用25納米技術的8GB設備現(xiàn)已推出樣品,預計將在2010年第二季度批量生產。《中國質量報》

關 文

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